美光 HBM4 产能提升提速新一代 HBM4E 明年量产

📝 摘要

美光科技正稳步推进第六代高带宽内存（HBM4）产能优化，其产能优化速度较去年 HBM3 12 层产品快两倍，良率改善迅速，该产品将用于英伟达人工智能计算平台 Vera Rubin。HBM4 产能提升得益于前代产品经验、采用 10 纳米级第五代 1β 工艺制造核心芯片及优化的基底芯片。下一代 HBM4E 标准产品将于明年量产，核心芯片计划采用 10 纳米级第六代 1γ 工艺（首次导入 ASML 极紫外光刻设备），基底芯片交由台积电代工，同时也在准备客户定制产品。竞争对手三星电子和 SK 海力士也在以 1c 工艺开发 HBM4E，三星计划今年二季度出货样品，SK 海力士目标今年下半年提供样品明年量产。美光预计今年中期基于 1γ 工艺的 DRAM 及第九代 NAND 闪存产品出货量将占总量一半以上，1γ DRAM 将成为按晶圆产量计算的最大单一 DRAM 工艺。

✍️ 编辑摘要

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📌 关键信息

美光科技正稳步推进第六代高带宽内存（HBM4）产能优化，其产能优化速度较去年 HBM3 12 层产品快两倍，良率改善迅速，该产品将用于英伟达人工智能计算平台 Vera Rubin
HBM4 产能提升得益于前代产品经验、采用 10 纳米级第五代 1β 工艺制造核心芯片及优化的基底芯片
下一代 HBM4E 标准产品将于明年量产，核心芯片计划采用 10 纳米级第六代 1γ 工艺（首次导入 ASML 极紫外光刻设备），基底芯片交由台积电代工，同时也在准备客户定制产品