三星电子突破DRAM技术壁垒 成功产出10纳米以下工作晶圆
📝 摘要
三星电子在DRAM制造技术上取得突破，首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆，这标志着其在克服DRAM“10纳米魔咒”方面迈出关键一步。上月三星生产了采用10a工艺的晶圆，确认了工作晶圆的存在，这是应用4F平方单元结构和垂直通道晶体管工艺的结果。该公司计划今年完成基于此结构的10a DRAM开发，2028年量产，还计划在10a、10b、10c使用4F平方和VCT结构，10d开始转向3D DRAM。此次突破关键在于采用两项新技术，核心材料也随之改变。业界认为三星成功产出工作晶圆将加速开发与量产，而其他厂商策略不同，美光维持现有设计，中国厂商积极开发3D DRAM，SK海力士计划在10b节点应用相关技术。
✍️ 编辑摘要
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- 上月三星生产了采用10a工艺的晶圆，确认了工作晶圆的存在，这是应用4F平方单元结构和垂直通道晶体管工艺的结果
- 该公司计划今年完成基于此结构的10a DRAM开发，2028年量产，还计划在10a、10b、10c使用4F平方和VCT结构，10d开始转向3D DRAM
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