消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
📝 摘要
三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期完成工艺制程升级，实现 236 层堆叠的第八代 V - NAND（V8 NAND）量产。该晶圆厂是三星在韩国本土外重要半导体生产基地，此次制程升级始于 2024 年，旨在提升性能、效率与产能竞争力，满足 AI 时代需求。下一步，三星西安晶圆厂瞄准 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线位于 X2 工厂，计划 2026 年内完成过渡并量产。
✍️ 编辑摘要
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📌 关键信息
- 三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期完成工艺制程升级，实现 236 层堆叠的第八代 V - NAND（V8 NAND）量产
- 该晶圆厂是三星在韩国本土外重要半导体生产基地，此次制程升级始于 2024 年，旨在提升性能、效率与产能竞争力，满足 AI 时代需求
- 下一步，三星西安晶圆厂瞄准 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线位于 X2 工厂，计划 2026 年内完成过渡并量产
🔎 来源对比
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- 不同来源的标题表述存在差异，适合交叉查看以确认各自强调的重点。